Транзисторы КТ826Б в металическом корпусе.

Описание:

КТ826Б метал-корпус. Есть 20 штук. Цена указана за 1 шт.

Справочные данные:

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.

Предназначены для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах.

Транзисторы 2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В, КТ826А, КТ826Б, КТ826В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.

Тип прибора указывается на корпусе.

Транзистор 2Т826А-5 выпускается в виде кристаллов неразделенных с контактными площадками на пластине для гибридных интегральных микросхем.

Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, кристалла не более 0,01 г.



Основные технические характеристики транзистора КТ826Б :

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 6 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 700 В (0,01кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА (700В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 5... 300;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 25 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом

Дополнительная информация: